必赢国际电子游戏网站 - 首页|欢迎您

 
 
平云霞
发布时间: 2020-06-16 浏览次数: 970


一、个人信息

 姓名:平云霞

 职称:教授

 专业:光学工程

 学历层次:博士研究生

 办公室地点:行政楼1218室

 电子邮箱:xyping@sues.edu.cn

 研究方向:光电材料

 个人主页:http://faculty.sues.edu.cn/_s2121/main.psp

二、教育经历

 2009.06毕业于华中科技大学光学专业获博士学位

 2006.07毕业于华中科技大学光学专业获硕士学位

 2004.07 毕业于鲁东大学物理学专业获学士学位

三、工作经历

 2022.01-至今上海工程技术大学必赢国际电子游戏网站教授

 2017.10-2021.12上海工程技术大学必赢国际电子游戏网站副教授

 2012.01-2017.09上海工程技术大学基础教学学院副教授

 2009.07-2011.12上海工程技术大学基础教学学院讲师

四、代表性论著

期刊论文:

 1.Jun Yang,Yunxia Ping*,Wei Liu,Wenjie Yu , Zhongying Xue , Xing Wei , Aimin Wu,  BoZhang*. Ti interlayer mediated uniform NiGe formation under low-temperature microwave annealing. Metals, 2021,11,488

 2.Wei Liu, Yunxia Ping*, Jun Yang, Zhongying Xue , Xing Wei , Aimin Wu,  Wenjie Yu, Bo Zhang*. Reaction of titanium-modulated nickel with germanium-tin under microwave and rapid thermal annealing. Acta Physica Sinica, 2021,70,286

 3.Kai Yong, Yunxia Ping*, Wei Liu, Jun Yang, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Aimin Wu, Bo Zhang*. Formation of uniform and homogeneous ternary NiSi2−xAlx on Si(001) by an Al interlayer mediation. Applied Physics Express. 2020,13,015505

 4.Yunxia Ping*, Chunlei Hou, Chaomin Zhang, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Wei Peng, Zengfeng Di, Miao Zhang, Bo Zhang*. Ti mediated highly oriented growth of uniform and smooth Ni(SiGe) layer for advanced contact metallization. Journal of Alloys and Compounds. 2017,693,527

 5.Xiaoran Meng, Yunxia Ping*, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Miao Zhang, Zengfeng Di, Bo Zhang*, Qingtai Zhao. Impact of Al addition on the formation of Ni germanosilicide layers under different temperature annealing. Chinese Physics B. 2017,26,098503

 6.Yunxia Ping*, Manle Wang, Xiaoran Meng, Chunlei Hou, Wenjie Yu, Zhongying Xue, Xing Wei, Miao Zhang, Zengfeng Di, Bo Zhang*. Mechanism of NiSiGe epitaxial growth by Al interlayer mediation at 700。C. Acta Physica Sinica. 2016,65,036801

授权发明专利:

 1.平云霞,侯春雷。一种使用NiTi合金外延生长NiGe 材料的方法。

授权专利号:ZL201410605211.8, 授权日期:2017.6

 2.平云霞,侯春雷。一种使用NiTi合金外延生长NiSiGe 材料的方法。

授权专利号:ZL201410605149.2, 授权日期:2017.5

 3.平云霞,孟骁然。一种制作NiGeSn 材料的方法。

授权专利号:ZL201510977256.2, 授权日期:2018.11

五、代表性科研项目

 1.国家自然科学基金青年项目61604094

 2.国家自然科学基金专项基金11247311

 3.国家自然科学基金专项基金11047190

 4.上海市自然科学基金 14ZR1418300

 5.中科院国家重点实验室开放课题 SKL201602

 6.上海市教委科技创新一般项目 11YZ216

六、主要荣誉奖励

 1.荣获2011-2012年度上海工程技术大学“三八红旗手”称号

 2.荣获2013-2014年度上海工程技术大学优秀共产党员称号

 3.荣获2013-2014年度上海工程技术大学“五四青年”称号